CMP技术的概念是1965年由Manto提出。该技术是用于获取高质量的玻璃表面，如望远镜等。1988年IBM开始将CMP技术运用于4MDRAM的制造中，而自从1991年IBM将CMP成功应用到64MDRAM的生产中以后，CMP技术在世界各地迅速发展起来。区别于传统的纯机械或纯化学的抛光方法，CMP通过化学的和机械的综合作用，从而避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差等缺点。它利用了磨损中的“软磨硬”原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。
粗蜡抛光：砂纸研磨后进一步去除表面砂纸痕，恢复漆面平整度和初始光泽。将蜡均匀涂抹在一定漆面区域内（单次抛光面积在一臂展长宽范围内为宜）抛光机转速控制在1200-2000转之间。初期以中等偏上的压力压住抛光盘均速抛光漆面，观察漆面，待砂纸痕明显抛除后放松压力将蜡痕抛开，回复漆面一定的光泽。抛光后应使用超细纤维布擦拭干净漆面残留的粗蜡和粉尘。质量标准：去除砂纸在漆面上造成的砂纸痕，漆面呈现处部分光泽。2.2镜面抛光：去除粗蜡抛光残留的圈纹，恢复车漆的原有光泽。质量标准：漆面无明显圈纹，安庆两酸抛光，出现镜面效果，光泽度比抛光前得到有效改善。3、还原：找回车漆的本来面目，恢复新车般的状态。质量标准：光泽度明显比抛光前得到改善，两酸抛光剂，倒影清晰可见。为了确定使用研磨剂的种类，两酸抛光哪家好，需对漆面问题进行判断。在不明显处的小块面积使用研磨剂。研磨剂优先选用轻度研磨剂，如果漆面缺陷较严重，两酸抛光配方，考虑选用中度或重度研磨剂。
化学抛光是金属表面通过有规则溶解达到光亮平滑。在化学抛抛光材料，抛光蜡(4张)光过程中，钢铁零件表面不断形成钝化氧化膜和氧化膜不断溶解，且前者要强于后者。由于零件表面微观的不一致性，表面微观凸起部位优先溶解，且溶解速率大于凹下部位的溶解速率；而且膜的溶解和膜的形成始终同时进行，只是其速率有差异，结果使钢铁零件表面粗糙度得以整平，从而获得平滑光亮的表面。抛光可以填充表面毛孔、划痕以及其它表面缺陷，从而提高疲劳阻力、腐蚀阻力
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